Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МАГНИТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ

Номер публикации патента: 2465378

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011127787/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B029/40   H01F001/01   C01G015/00   C01G030/00    
Аналоги изобретения: DANILOV Yu.A. et al, Ferromagnetism in epitaxial layers of gallium and indium antimonides and indium arsenide supersaturated by manganese impurity, "Journal of Magnetism and Magnetic Materials", 2000, vol.300, .1, pp.e24-e27. VARYUKHIN D.V. at al. Characteristics of the diluted InSb(2%Mn) magnetic semiconductor, "Metallofizika I NoveishieTekhnologii", 30 (SPEC.ISS.), pp.69-75. KAZUNORI SATO et al. First-Principles Study on the Ferromagnetism and Curie Temperature of Mn-Doped AlX and InX (x=N, P, As and Sb), "J. Phys. Soc. Jpn.", 2007, 76, art. no.024717 (12 pages). HOLLINGSWORTH, J. et al. Investigation of magnetic properties in Mn incorporated InSb, InP and GaAs, synthesized through controlled-ambient annealing, "Material Research Society Symposium Proceedings, 2004, 825, pp.1-6. 

Имя заявителя: Учреждение Российской академии наук Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН (ИОНХ РАН) (RU) 
Изобретатели: Саныгин Владимир Петрович (RU)
Пашкова Ольга Николаевна (RU)
Филатов Андрей Викторович (RU)
Изотов Александр Дмитриевич (RU)
Новоторцев Владимир Михайлович (RU) 
Патентообладатели: Учреждение Российской академии наук Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН (ИОНХ РАН) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем и цинком антимонидам индия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнито-оптоэлектронных приборов. Предлагается магнитный полупроводниковый материал, который включает индий, сурьму, марганец и цинк, представляет собой соединение антимонид индия InSb, легированное марганцем в количестве 0,12÷0,19 мас.% Мn и цинком в количестве 0,71÷1,12 мас.% Zn, и отвечает формуле InSb. Изобретение позволяет получать материал, характеризующийся температурой Кюри 320 К, сочетающий полупроводниковые и ферромагнитные свойства. 2 ил., 2 табл., 3 пр.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"