DANILOV Yu.A. et al, Ferromagnetism in epitaxial layers of gallium and indium antimonides and indium arsenide supersaturated by manganese impurity, "Journal of Magnetism and Magnetic Materials", 2000, vol.300, .1, pp.e24-e27. VARYUKHIN D.V. at al. Characteristics of the diluted InSb(2%Mn) magnetic semiconductor, "Metallofizika I NoveishieTekhnologii", 30 (SPEC.ISS.), pp.69-75. KAZUNORI SATO et al. First-Principles Study on the Ferromagnetism and Curie Temperature of Mn-Doped AlX and InX (x=N, P, As and Sb), "J. Phys. Soc. Jpn.", 2007, 76, art. no.024717 (12 pages). HOLLINGSWORTH, J. et al. Investigation of magnetic properties in Mn incorporated InSb, InP and GaAs, synthesized through controlled-ambient annealing, "Material Research Society Symposium Proceedings, 2004, 825, pp.1-6.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН (ИОНХ РАН) (RU)
Изобретатели:
Саныгин Владимир Петрович (RU) Пашкова Ольга Николаевна (RU) Филатов Андрей Викторович (RU) Изотов Александр Дмитриевич (RU) Новоторцев Владимир Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН (ИОНХ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем и цинком антимонидам индия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнито-оптоэлектронных приборов. Предлагается магнитный полупроводниковый материал, который включает индий, сурьму, марганец и цинк, представляет собой соединение антимонид индия InSb, легированное марганцем в количестве 0,12÷0,19 мас.% Мn и цинком в количестве 0,71÷1,12 мас.% Zn, и отвечает формуле InSb. Изобретение позволяет получать материал, характеризующийся температурой Кюри 320 К, сочетающий полупроводниковые и ферромагнитные свойства. 2 ил., 2 табл., 3 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента