RU 2284613 C1, 27.09.2006. RU 2310176 C1, 10.11.2007. RU 2271523 C2, 10.03.2006. SU 1835913 A1, 10.09.1995. US 20050034529 A1, 17.02.2005. US 20070000330 A1, 04.01.2007. US 7952154 B2, 31.05.2011.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU)
Изобретатели:
Баринов Илья Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений высокотемпературных сред, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Сущность: полупроводниковый преобразователь давления содержит мембрану (1) с утолщенным периферийным основанием (2). Мембрана имеет толщину, равную толщине тензорезисторов (3), сформированных на закрепленном на мембране слое диэлектрика (4). Тензорезисторы объединены с помощью проводников (5), имеющих соединенные с ними металлизированные контактные площадки (6), в мостовую измерительную схему. Мембрана содержит профиль с концентраторами механических напряжений (7) в местах расположения тензорезисторов, который представляет собой сочетание утонченных участков и жестких центров. Мембрана и тензорезисторы выполнены из нелегированного карбида кремния с концентрацией носителей не более 1016 см-3. Технический результат: расширение температурного диапазона измерений, повышение долговременной стабильности параметров преобразователя. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента