Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНОГО ТИПА С ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО - И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ

Номер публикации патента: 2463570

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011119814/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01L009/04   B82B001/00    
Аналоги изобретения: RU 2391641 C1, 10.06.2010. RU 2312319 C2, 10.12.2007. RU 2397460 C1, 20.08.2010. EP 1380825 A1, 14.01.2004. CN 101922984 A, 22.12.2010. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU) 
Изобретатели: Белозубов Евгений Михайлович (RU)
Белозубова Нина Евгеньевна (RU)
Вологина Валентина Николаевна (RU)
Козлова Наталья Анатольевна (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам давления с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой (НиМЭМС), предназначенным для использования при воздействии нестационарных температур и повышенных виброускорений. Технический результат: уменьшение погрешности измерения. Сущность: датчик содержит корпус (1), установленную в нем НиМЭМС, состоящую из мембраны (2), выполненной за одно целое с основанием (3). На мембране сформирована гетерогенная структура (4) из тонких пленок. В структуре (4) образованы тензорезисторы, расположенные по окружности на периферии мембраны. На основании со стороны подачи измеряемой среды симметрично продольной оси датчика закреплена и размещена внутри основания с зазором относительно мембраны и периферийного основания в области, прилегающей к мембране, цилиндрическая втулка (7) с отверстием (8). Элементы первой и второй измерительной цепи, расположенные вне корпуса, размещены в общем экране (9) из материала с высокой теплопроводностью. Характеристики элементов конструкции датчика связаны соответствующим соотношением. 1 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"