US 6579636 A1, 12.09.2000. RU 2322425 C1, 20.04.2008. RU 2191758 C2, 27.10.2002. JP 2007107098 A, 26.04.2007. JP 8091966 A, 09.04.1996.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) (RU)
Изобретатели:
Саркисов Павел Джибраелович (RU) Лебедева Юлия Евгеньевна (RU) Орлова Людмила Алексеевна (RU) Попович Наталья Васильевна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области химической промышленности, теплоэнергетики, авиакосмической техники, в частности к защитному стеклокристаллическому покрытию для SiC-содержащих материалов и способу его получения. Техническим результатом настоящего изобретения является упрощение технологического процесса за счет сокращения технологических стадий и снижения энергозатрат, обеспечение самозалечивающего и антиокислительного эффекта. Защитное стеклокристаллическое покрытие для SiC-содержащих материалов включает оксиды иттрия, алюминия, кремния и HfO2 при следующем соотношении компонентов (мол.%): Y2O3 - 10-12; Al 2O3 - 14-17; HfO2 - 1-5; SiO 2 - остальное. Способ включает приготовление раствора вязкостью 2-4 мПа·с из смесей элементоорганических соединений кремния и алюминия и растворимых солей иттрия и гафния, его послойное нанесение на SiC-содержащий материал путем многократного погружения в раствор. Извлечение материала осуществляют со скоростью 5-10 см/мин, сушку каждого слоя ведут при температуре 70-80°С, термообработку - при 1450-1550°С в нейтральной среде, выдержку при этой температуре 1-2 час, охлаждение - до 1150-1250°С, выдержку при этой температуре - 1-2 час. Затем проводят дальнейшее охлаждение до комнатной температуры. 2 н.п. ф-лы, 2 пр., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента