СПОСОБ И УСТАНОВКА ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА III - V, УСТРОЙСТВО ГЕНЕРАЦИИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ, ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ СЛОЙ НИТРИДА МЕТАЛЛА, ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА НИТРИДА МЕТАЛЛА И ПОЛУПРОВОДНИК
WO 96/22408 А, 25.07.1996. WO 01/65590 A, 07.09.2001. RUBIN M ET AL. P-TYPE GALLIUM NITRIDE BY REACTIVE ION-BEAM MOLECULAR BEAM EPITAXY WITH ION IMPLANTATION, DIFFUSION. OR COEVAPORATION OF MG. APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, v.64, 1, 3 January 1994 (1994-01-03), p.64-66. LEI T FT AL. EPITAXIALGROWTH OF ZINC BLENDE AND WURTZITIC GALLIUM NITRIDE THIN FILMS ON (001) SILICON. APPLIED PHYSICS LETTERS. AIP. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, v.59, 8.19 August 1991 (1991-08-19), p.944-946. RU 2244984 С, 20.01.2005.
Имя заявителя:
Зульцер Метко АГ (CH)
Изобретатели:
ФОН КЕНЕЛЬ Ганс (CH)
Патентообладатели:
Зульцер Метко АГ (CH)
Приоритетные данные:
28.02.2005 US 60/657,208
Реферат
Изобретение относится к установкам и способам эпитаксиального выращивания монокристаллов осаждением из паровой или газовой фазы. Сущность изобретения: вакуумная установка для эпитаксиального выращивания полупроводников типа III-V содержит вакуумную камеру, в которой поддерживается давление от приблизительно 10-3 мбар до 1 мбар во время эпитаксиального выращивания, размещенный в вакуумной камере подложкодержатель, установленный с возможностью закрепления и нагрева подложек, источники испарения веществ и ввода частиц пара в вакуумную камеру, которые являются частицами металлов в элементной форме, металлических сплавов и легирующих примесей, систему ввода и распределения газов в вакуумную камеру, источник подачи плазмы в вакуумную камеру, генератор магнитного поля для создания магнитного поля, позволяющего придать требуемую форму плазме в вакуумной камере. Вакуумная камера выполнена с возможностью осуществления в ней диффузного распространения частиц газов и паров металлов, активизации газов и паров металлов плазмой для вступления в реакцию и формирования однородного эпитаксиального слоя на нагретой подложке, прикрепленной к подложкодержателю посредством эпитаксии из газовой фазы, активированной низкотемпературной плазмой. Данное изобретение обеспечивает возможность получать эпитаксиальные слои с высокой скоростью, при низкой температуре, большой площади подложек и при отсутствии токсичных газов. 6 н. и 25 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента