Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА ИНДИЯ

Номер публикации патента: 2462541

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010115421/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B027/02   C30B029/40   C30B015/36    
Аналоги изобретения: US 4299651 А, 10.11.1981. JP 62128996 А, 11.06.1987. BONNER W.A. InP synthesis and LEC growth of twin-free crystals // Journal of Crystal Growth. - 1981, vol.5, no.1, p.p.21-31. 

Имя заявителя: Общество с ограниченной ответственностью (ООО) "Нанофин" (RU) 
Изобретатели: Бабокин Юрий Лукьянович (RU)
Елсаков Валерий Геннадьевич (RU)
Макалкин Владимир Иванович (RU)
Мельников Ярослав Сергеевич (RU)
Цыпленков Игорь Николаевич (RU) 
Патентообладатели: Общество с ограниченной ответственностью (ООО) "Нанофин" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа. Способ включает затравливание на затравку, разращивание монокристалла до заданного диаметра при одновременном вытягивании его конической части с заданной скоростью и последующее выращивание цилиндрической части кристалла. При выращивании конической части монокристалла скорость вращения тигля и скорость вытягивания монокристалла увеличивают, соответственно, от 0÷2 об/мин и 0÷5 мм/час при затравливании до 3÷6 об/мин и 15÷30 мм/час при достижении заданного диаметра, а после получения заданного диаметра на конической части монокристалла скорость вытягивания увеличивают до 50÷150 мм/мин в течение 1,0÷6,0 сек с последующим продолжением выращивания цилиндрической части монокристалла с заданной скоростью. Затравка может иметь кристаллографическую ориентацию оси роста <511>В. Изобретение направлено на снижение вероятности двойникования на конической части монокристалла, за счет чего повышается качество и увеличивается выход годных монокристаллов фосфида индия. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 пр.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"