TW 581808 B, 11.06.2004. RU 2086050 C1, 27.07.1997. WO 2009010762 A1, 22.01.2009. US 2008149942 A1, 26.06.2008. US 2007018184 A1, 25.01.2007. US 7071494 B2, 04.07.2006. US 2005161696 A1, 28.07.2005.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) (RU)
Изобретатели:
Усов Сергей Петрович (RU) Сахаров Юрий Владимирович (RU) Троян Павел Ефимович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, более конкретно к полупроводниковым светодиодам. Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный на основе диоксида кремния, включает подложку, нижний и верхний электроды, а также сформированные в процессе магнетронного распыления слои, образующие полупроводниковую гетероструктуру с р-n-переходом. Слой активной области с р-n-переходом выполнен из пористого диоксида кремния (SiO2M). Ширина запрещенной зоны слоя активной области с р-n-переходом >4 эВ. Изобретение обеспечивает возможность достигнуть излучения света в ультрафиолетовом диапазоне спектра излучения, обеспечивает высокую яркость, упрощение конструкции и технологии изготовления полупроводникового светоизлучающего прибора. 1 пр., 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента