Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПЛАНАРНЫЙ ФОТОДИОД НА АНТИМОНИДЕ ИНДИЯ

Номер публикации патента: 2461914

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011123854/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/036    
Аналоги изобретения: SU 1589963 A1, 10.07.1996. SU 1265894 A1, 11.04.1985. US 2008090319 A1, 17.04.2008. WO 9428587 A1, 08.12.1994. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "Московский завод "САПФИР" (RU) 
Изобретатели: Астахов Владимир Петрович (RU)
Астахова Галина Сергеевна (RU)
Гиндин Павел Дмитриевич (RU)
Карпов Владимир Владимирович (RU)
Михайлова Елена Вячеславовна (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "Московский завод "САПФИР" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве охлаждаемых одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - планарными фотодиодами на антимониде индия (InSb). В планарном фотодиоде на антимониде индия, содержащем подложку n-типа проводимости с концентрацией легирующих атомов примеси не более 3·10 15 см-3 со сформированным в ней планарным р-n переходом, защитную пленку анодного окисла, пассивирующую диэлектрическую пленку и контактную систему, поверхность подложки имеет кристаллографическую ориентацию (111)А. Изобретение обеспечивает повышение пробивного напряжения планарного фотодиода обеспечивается за счет наименьшей плотности атомов сурьмы на поверхности с кристаллографической ориентацией (111)А. 1 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"