Aboelfotoh M.O. et al. Electrical and microstructural characteristics ofGeCu ohmic contacts to n-type GaAs.//J.Mater. Res. Vol.12, No.9, 1997, pp.2325-2332. Aboelfotoh M.O. et al. Microstructure characterization of Cu3Ge/n-type GaAs ohmic contacts.//J. Appl. Phys., 76(10), 1994. RU 2084988 C1, 20.07.1997. SU 1817159 A1, 23.05.1993. WO 92/02037 A1, 06.02.1992. WO 91/04578 A1, 04.04.1991. ЕР 0077893 А2, 04.05.1983.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" (RU)
Изобретатели:
Ерофеев Евгений Викторович (RU) Кагадей Валерий Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является уменьшение величины приведенного контактного сопротивления. Сущность изобретения: в способе изготовления омического контакта к GaAs на поверхности пластины n-GaAs, имеющей легированный слой, с целью реализации процесса обратной литографии формируют маску, для очистки поверхности в окнах маски пластину n-GaAs обрабатывают в водном растворе H2SO4 или НСl с последующей промывкой в деионизованной воде и сушкой. Затем методами электронно-лучевого и/или термического испарения в вакууме при остаточном давлении менее 5×10-6 Торр производят осаждение Ge и Си общей толщиной 100-500 нм с массовым содержанием германия в двухслойной композиции, равным 20-45%. Далее пластину n-GaAs в едином вакуумном цикле подвергают первой термообработке при температуре T 1=150-460°C в атмосфере атомарного водорода при плотности потока атомов водорода на поверхность пластины, равной 10 13-1016 ат.·см-2·с -1. Пластину n-GaAs извлекают из вакуумной камеры и после удаления маски подвергают второй термообработке в атмосфере инертного газа или в вакууме в диапазоне температур Т2=280-460°С в течение t=0,5-30 мин. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента