

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК

Номер публикации патента: 2458338

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2010131326/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	G01N027/12 B82B001/00
Аналоги изобретения:	RU 1106083 C1, 10.06.2003. RU 2178558 C1, 20.01.2002. RU 2178559 C2, 20.01.2002. WO 2008039165 A2, 03.04.2008. US 2005129573 A1, 16.06.2005. JP 11051892 A, 26.02.1999.

Имя заявителя:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU)
Изобретатели:	Кировская Ираида Алексеевна (RU) Подгорный Станислав Олегович (RU)
Патентообладатели:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU)

Реферат

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из наноразмерной пленки теллурида кадмия. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Датчик прост по конструкции, технологичен в изготовлении, обеспечивает высокую чувствительность при измерении содержания оксида углерода. 1 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"