US 5337561 A1, 16.08.1994. RU 2364752 C1, 20.08.2009. RU 2119596 C1, 27.09.1998. SU 97453 A, 24.08.1959. US 20060099087 A1, 11.05.2006.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВПО МГТУ "СТАНКИН") (RU)
Изобретатели:
Ищенко Иван Николаевич (RU) Иванов Витольд Ильич (RU) Сазанов Игорь Иванович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВПО МГТУ "СТАНКИН") (RU)
Реферат
Установка предназначена для силового агрегата высокопроизводительных гидрорезных комплексов, применяемых при резке. Установка состоит из двух соединенных между собой плунжерных гидравлических мультипликаторов 1 и 10, причем корпуса мультипликатора 10 выполнены из двух соосно расположенных один в другом цилиндров, с возможностью образования между внешними поверхностями внутренних цилиндров и внутренними поверхностями внешних цилиндров полостей 20 и 21, функционально являющихся бандажными. Мультипликатор 1 соединен с мультипликатором 10 таким образом, чтобы обеспечивать нагнетание рабочей жидкости в полости бандажирования 20 и 21 мультипликатора 10, а также в его рабочие полости 11 и 12. Таким образом, на тактах всасывания рабочие гильзы 31 и 32 мультипликатора 10 оказываются под постоянным, одинаковым давлением снаружи и изнутри, что обеспечивает их разгрузку. На тактах нагнетания давление снаружи гильз составляет ½ давления внутри гильз. Такое распределение давлений снижает уровень эквивалентных напряжений в 2 раза по сравнению с небандажируемой гильзой, а также в 2 раза уменьшается амплитуда колебаний давления в гильзах. Это в значительной мере позволит продлить срок службы деталей, работающих при сверхвысоких давлениях и повысить надежность всей мультипликаторной насосной установки сверхвысокого давления. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента