WO 2009107669 A1, 03.09.2009. RU 2205893 C2, 10.06.2003. SU 138791 A, 31.12.1961. US 4424101 A, 03.01.1984. US 20050155675 A1, 21.07.2005. JP 03-078954 A1, 04.04.1991.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) (МИРЭА) (RU), Общество с ограниченной ответственностью "Росбиоквант" (ООО "Росбиоквант") (RU), Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ГОУ ВПО "ВГУ") (RU), Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежский государственный архитектурно-строительный университет (ГОУ ВПО ВГАСУ) (RU)
Изобретатели:
Битюцкая Лариса Александровна (RU) Лазарев Александр Петрович (RU) Сигов Александр Сергеевич (RU) Богатиков Евгений Васильевич (RU) Рубинштейн Владимир Михайлович (RU) Дикарев Юрий Иванович (RU) Абрамов Александр Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) (МИРЭА) (RU) Общество с ограниченной ответственностью "Росбиоквант" (ООО "Росбиоквант") (RU) Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ГОУ ВПО "ВГУ") (RU) Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежский государственный архитектурно-строительный университет (ГОУ ВПО ВГАСУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к плазменной технологии, а именно к способам получения ферромагнитных пленок из нанокластеров силицидов на поверхности кремниевой подложки методом локализованного газового разряда Ar и может быть использовано при получении базовых элементов спинтроники. Технический результат - увеличение скорости напыления, многофункциональность и экономичность способа. Способ включает плазмохимический синтез самоорганизованных нанокластеров силицидов переходных ферромагнитных металлов путем импульсного формирования встречных потоков возбужденных атомов переходного ферромагнитного металла и кремния на характеристических расстояниях, определяемых длиной свободного пробега реагирующих атомов и плазмы Ar с последующим их осаждением на кремниевую подложку. Осаждение проводят при давлении в газоразрядной камере Р=0,15 атм, падении напряжения на разряде 120 В и времени осаждения 20 сек. 9 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента