US 2008/0205638 A1, 28.08.2008. US 7308096 B2, 11.12.2007. WO 02/093411 А1, 21.11.2002. RU 2401513 С2, 10.10.2010. RU 2232476 С2, 10.07.2004.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет" (ФГБОУ ВПО "СПбГПУ") (RU)
Изобретатели:
Ростовцев Александр Григорьевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет" (ФГБОУ ВПО "СПбГПУ") (RU)
Реферат
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении скорости формирования и проверки ЭЦП и повышении защищенности системы ЭЦП от атак по внешнему каналу. Способ электронной цифровой подписи на основе эллиптической кривой в форме Вейерштрасса, в котором генерируют параметры системы электронной цифровой подписи, а также формируют и проверяют подпись, причем при формировании и проверке подписи находят результирующую точку путем удвоений и сложений точек эллиптической кривой, заданных проективными координатами (X,Y,Z), находят битовую строку, представляющую значение XZ-1 (modp) координат результирующей точки, причем выполняют линейное преобразование координат (X,Y,Z) точки эллиптической кривой в форме Вейерштрасса в координаты (U,V,W) точки эллиптической кривой в форме Гессе, операции сложения и удвоения точек выполняют на эллиптической кривой в форме Гессе, после чего выполняют линейное преобразование координат (U,V,W) результирующей точки эллиптической кривой в форме Гессе в координаты (X,Z) точки эллиптической кривой в форме Вейерштрасса. 5 з.п. ф-лы, 1 табл., приложение.
Поиск патентов
Получить полное описание патента