RU 2323491 С2, 16.05.2006. US 7915666 В2, 29.03.2011. KR 100949219 B1, 24.03.2010. US 6313502 B1, 06.11.2001.
Имя заявителя:
Федеральное Государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И. Берга" (RU)
Изобретатели:
Лобанов Борис Семенович (RU) Бондарев Юрий Степанович (RU) Хлопов Борис Васильевич (RU) Фесенко Максим Владимирович (RU) Дьяков Михаил Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное Государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И. Берга" (RU)
Реферат
Предложены способ и устройство стирания информации с полупроводниковой микросхемы. В способе микросхему размещают на плоском отражателе тепла из немагнитного металла между кольцевыми дросселями полеобразующей системы так, чтобы плоскость подложки микросхемы была параллельна плоскости кольцевых дросселей полеобразующей системы. Облучают микросхему импульсами синусоидального электромагнитного поля частотой более 200 кГц, длительностью не менее 1,5 мс, интенсивность облучения не менее 167 кВт в импульсе, кроме того, амплитуду каждого импульса синусоидального электромагнитного поля уменьшают во времени. Техническими результатами являются увеличение надежности стирания информации, уменьшение энергопотребления и упрощение конструкции устройства стирания информации. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента