Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ДИОД ГАННА

Номер публикации патента: 2456715

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011112740/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L047/02    
Аналоги изобретения: US 5256579 A, 26.10.1993. SU 1676402 A1, 23.07.1992. RU 2168801 C1, 28.11.2001. JP 9252153 A, 22.09.1997. US 5311034 A, 10.05.1994. UA 49990 U, 25.05.2010. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU) 
Изобретатели: Божков Владимир Григорьевич (RU)
Торхов Николай Анатольевич (RU)
Самойлов Владимир Ильич (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU) 

Реферат


Изобретение относится к микроэлектронике. Диод Ганна включает активный слой с изменяющимся, вдоль электрического поля, уровнем легирования, при этом согласно изобретению толщина активного слоя диода Ганна изменяется в диапазоне (1.0-1.8) мк, уровень легирования носителей тока в активном слое равномерно изменяется от (1.1-1.4)* 1016 см-3, на первой границе активного слоя, до (1.8-2.4)*1016 см-3, на второй границе активного слоя. Изобретение обеспечивает минимизацию перепада уровня генерируемой СВЧ мощности при сохранении широкого диапазона перестройки частоты и высоком уровне мощности. 1 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"