Способ изготовления солнечного элемента включает в себя: формирование на кремниевой подложке, проводимость которой имеет p-тип или n-тип, кремниевого слоя, включающего в себя легирующую примесь, тип проводимости которой отличается от типа проводимости данной кремниевой подложки, и диффузию легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью термической обработки кремниевого слоя. При этом, когда легирующая примесь, включенная в кремниевый слой, диффундирует в кремниевую подложку, максимальный уровень температуры нагрева больше или равен 600°С и меньше или равен 1200°С. Также предложен аппарат для изготовления солнечного элемента и второй способ изготовления солнечного элемента. Изобретение обеспечивает возможность сократить длительность времени для термической обработки, когда диффузионный слой формируется в кремниевой подложке, кроме того, возможность сократить время изготовления и устранить ряд этапов путем выполнения этапов диффузии легирующей примеси и процесса прожига верхнего электрода в одно время, и, кроме того, возможность изготовить солнечный элемент, имеющий такую же эффективность фотоэлектрического преобразования, как эффективность преобразования обычного солнечного элемента. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента