DE 2648920 A, 11.05.1978. RU 2328559 C1, 10.07.2008. GB 1073587 A, 28.06.1967. US 3966416 A, 29.06.1976.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Диал" (RU)
Изобретатели:
Кравцов Евгений Евгеньевич (RU) Герлов Владимир Сергеевич (RU) Потеева Юлия Шавкятовна (RU) Уразалиев Ренат Халилович (RU) Приходько Сергей Анатольевич (RU) Огородникова Надежда Петровна (RU) Глинина Елена Геннадьевна (RU) Шундалов Руслан Эльдарович (RU) Шенбор Михаил Иванович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Диал" (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано при получении полупроводниковых соединений. Монокристаллы бинарных и тройных соединений на основе серы, селена и теллура получают путем направленной кристаллизации из расплава или раствора-расплава в устройстве, включающем двухзонную печь, расположенную вертикально, состоящую из верхней 1 и нижней 2 печей. Расплав или раствор-расплав 12 помещен в тигель 10, скрепленный штоком 8 с поплавком 7 и установленный в запаянной ампуле 5, в нижней части которой находится расплав летучего компонента 6. Верхняя 1 и нижняя 2 печи разделены воздушным промежутком с прозрачными теплоизолирующими кольцами 3 и 4. Верхняя 1 печь скреплена с механизмом 13 для перемещения ампулы 5. Сначала ампулу 5 устанавливают тиглем 10 в зоне с постоянной температурой верхней 1 печи и видимой нижней частью муфты штока 8 в воздушном промежутке. Затем устанавливают температуру испарения летучего компонента 6, соответствующую давлению паров 100 кПа, а температуру расплава в тигле 10 - на 5-10°C ниже температуры плавления получаемого монокристалла. Замеряют скорость опускания тигля 10 под действием увеличения веса за счет растворения летучего компонента 6 в растворе-расплаве 12 и устанавливают такую же скорость вытягивания ампулы 5. О достижении насыщения летучим компонентом свидетельствует отсутствие перемещения муфты. Затем механизм 13 выключают, устанавливают скорость опускания ампулы 5 в соответствии с выбранной линейной скоростью кристаллизации и ведут процесс до завершения кристаллизации всего расплава. За счет обеспечения контроля всех этапов процесса сокращается время выращивания монокристаллов и снижается брак. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента