US 2005/0088077 A1, 28.04.2005. СОЩИН Н.П. и др. Светодиоды "теплого" белого свечения на основе р-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами из иттрий-гадолиниевых гранатов. - Физика и техника полупроводинков, 2009, т.43, вып.5, с.700-704. US 2009/0179212 A1, 28.04.2005. CN 1927996 A, 14.03.2007.
Имя заявителя:
Вишняков Анатолий Васильевич (RU), Чанг Яаохуи (KR), Вишнякова Екатерина Анатольевна (RU)
Изобретатели:
Вишняков Анатолий Васильевич (RU) Чанг Яаохуи (KR) Вишнякова Екатерина Анатольевна (RU)
Патентообладатели:
Вишняков Анатолий Васильевич (RU) Чанг Яаохуи (KR) Вишнякова Екатерина Анатольевна (RU)
Реферат
Изобретения могут быть использованы в твердотельных источниках белого света на основе сине-излучающих светодиодов InGaN. Люминесцирующий материал по первому варианту соответствует общей формуле где 0,22,0; 0,001(Ln-1)y - один или несколько лантаноидов из группы Gd, Tb, La, Lu, Sm; 0(Ln-2)z - один или несколько лантаноидов из группы Рr, Nd, Dy; 0,00010. Величина (3-) находится в интервале от 1,67 до 2,8. Люминесцирующий материал может представлять собой композицию из двух фаз, одна из которых имеет указанный состав, а другая является оксидом алюминия. Согласно второму варианту люминесцирующий материал не содержит Ga, In. Согласно третьему варианту люминесцирующий материал не содержит Ga, In и (Ln-2). Полученные люминесцирующие материалы обеспечивают возможность изменять цветовую температуру твердотельного источника белого света на основе сине-излучающих светодиодов от 2500-15000 K. 3 н. 12 з.п. ф-лы, 2 табл., 1 ил., 28 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента