1. 1-я Всероссийская научная конференция. Методы исследования состава и структуры функциональных материалов. МИССФМ-2009. Новосибирск, 11-16 октября 2009 г. Секция 5. Методы определения дисперсности и текстурных характеристик. Доклад 6. Малков В.Б. и др. Обнаружение эффекта изменения знака вектора разориентировки по порядку чередованияизгибных контуров СД-5-1. Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН (Екатеринбург). 2. Диссертация кандидата физико-математических наук. Малков Андрей Вячеславович. Арт.99395. Реальная структура тонкопленочных кристаллов селена. Гл. 3.1 - 324, 432, 613, 624. 3. Шульгин В.Б. и др. Изменение знака вектора разориентировки вдоль М. / ЯХ Национальная конференция по росту кристаллов. - М., 2000, с.538.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук (RU)
Изобретатели:
Малков Вячеслав Борисович (RU) Малков Андрей Вячеславович (RU) Пушин Владимир Григорьевич (RU) Стрекаловский Виктор Николаевич (RU) Малков Олег Вячеславович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к области электронно-микроскопического исследования нанотонких кристаллов. Сущность изобретения: способ диагностики эффекта изменения знака вектора разориентировки вдоль межблочных границ в нанотонких кристаллах включает получение последовательности электронно-микроскопических изображений нанотонкого кристалла с межблочной границей в темном поле в рефлексах h 1k1l1, h2k2 l2, hnknln, анализ взаимного расположения пар изгибных экстинкционных контуров h1 k1l1, h2k2l2 , , hnknln в соседних блоках нанотонкого кристалла. При этом при выявлении изменения порядка чередования пар изгибных контуров h1kil 1, h2k2l2, , hnknln в соседних блоках на парах изгибных контуров с индексами hn-k-lk n-k-lln-k-l, hn-kkn-kl n-k, hn-k+lkn-k+lln-k+l диагностируют эффект изменения знака вектора разориентировки вдоль межблочной границы в нанотонком кристалле. Техническим результатом изобретения является обнаружение эффекта изменения знака вектора разориентировки и указание участка нанотонкого кристалла, на котором этот эффект имеет место. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента