RU 2261288 C2, 27.09.2005. RU 233899 C2, 10.08.2004. JP 03-197640 A, 29.08.1991. US 2008/0138620 A1, 12.06.2008.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) (RU)
Изобретатели:
Глебовский Вадим Георгиевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области металлургического производства распыляемых металлических мишеней для микроэлектроники, а также к изготовлению интегральных схем и тонкопленочных конденсаторов на основе тантала и его сплавов. Заявлены способ производства литой мишени для магнетронного распыления из сплава на основе тантала и мишень, полученная этим способом. Способ включает получение слитка сплава на основе тантала. Предварительно получают слиток тантала высокой чистоты путем глубокого вакуумного рафинирования электронно-лучевым капельным переплавом заготовки, изготовленной прессованием порошков тантала высокой чистоты, также получают слитки интерметаллидов TaFe2 и YFe3 сплавлением тантала с железом и иттрия с железом, затем осуществляют дуговой вакуумный переплав слитка тантала высокой чистоты со слитками интерметаллидов TaFe2 и YFe3 при их соотношении, мас.%: ТаFе2 3,0-10,0, YFe3 0,3-3,0, Та - остальное, с получением слитка сплава на основе тантала состава Та + 1 мас.% Fe + 0,1 мас.% Y, который подвергают механической обработке. Технический результат - повышение качества распыляемых мишеней для повышения выхода годных тонкопленочных конденсаторов за счет улучшения воспроизводимости элементного состава материала на основе тантала с иттрием и железом, а также за счет уменьшения потерь, связанных с испарением иттрия и железа при их введении в тантал. 2 н.п. ф-лы, 1 табл., 1 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента