Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ТОМОГРАФИЧЕСКОГО АНАЛИЗА ОБРАЗЦА В РАСТРОВОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ

Номер публикации патента: 2453946

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010154723/07 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01J037/28    
Аналоги изобретения: RU 2069412 C1, 20.11.1996. RU 2154266 C1, 10.08.2000. RU 2377539 C1, 27.12.2009. UA 149434, 04.03.1997. WO 2007129897 А, 15.11.2007. WO 2005057142 A1, 23.06.2005. 

Имя заявителя: Жданов Глеб Сергеевич (RU) 
Изобретатели: Жданов Глеб Сергеевич (RU) 
Патентообладатели: Жданов Глеб Сергеевич (RU) 

Реферат


Изобретение относится к растровой электронной микроскопии и может быть использовано для неразрушающего послойного тестирования образцов, в частности изделий микро- и наноэлектроники. В изобретении используется способность обратнорассеянных электронов (ОРЭ) вызывать осаждение молекул остаточных углеводородов, адсорбированных на поверхности образца. При облучении образца стационарным сфокусированным электронным пучком вокруг точки падения пучка образуется углеродное кольцо. Диаметр кольца зависит от состава, толщины и глубины залегания слоев, пересекаемых ОРЭ. Эта зависимость лежит в основе томографического анализа. Кольцо является аналогом спектральной метки - индивидуальной характеристики образца. Положение метки на поверхности образцов с варьируемой послойной структурой прослеживается на модели. При изменении ускоряющего напряжения в анализ вовлекаются слои, находящиеся на различной глубине. Длина пробега электронов в образце определяется по измерениям углеродных колец, образующихся на поверхности при различных углах наклона к оси пучка. Показана возможность различения массивных подложек, в том числе кремния и арсенида галлия, под двухслойным покрытием с разрешением по глубине не хуже 10100 нм. Разрешение по горизонтали в зависимости от ускоряющего напряжения меняется в пределах от нескольких микрометров до нескольких сотен нанометров. Технический результат - повышение достоверности и точности обработки результатов измерений. 4 з.п. ф-лы, 4 табл., 12 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"