Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ БЕТА - ИЗЛУЧЕНИЯ В ЭЛЕКТРОЭНЕРГИЮ

Номер публикации патента: 2452060

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010121444/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/04   G01H001/00    
Аналоги изобретения: ПУСТОВАЛОВ А.А., ГУСЕВ В.В., ЗАДДЭ В.В., ПЕТРЕНКО Н.С., ТИХОМИРОВ А.В., ЦВЕТКОВ Л.А. Бета-вольтаический источник тока на основе никеля-63. - Журнал «Атомная энергия», т.103, вып.6, декабрь 2007, с.353-356. RU 90612 U1, 10.01.2010. US 2004150290 A1, 05.08.2004. EP 1810342 A2, 25.07.2007. EP 1086487 A1, 28.03.2001. EP 0622811 A1, 02.11.1994. 

Имя заявителя: Заддэ Виталий Викторович (RU),
Пустовалов Алексей Антонович (RU),
Пустовалов Сергей Алексеевич (RU),
Цветков Лев Алексеевич (RU),
Цветков Сергей Львович (RU) 
Изобретатели: Заддэ Виталий Викторович (RU)
Пустовалов Алексей Антонович (RU)
Пустовалов Сергей Алексеевич (RU)
Цветков Лев Алексеевич (RU)
Цветков Сергей Львович (RU) 
Патентообладатели: Заддэ Виталий Викторович (RU)
Пустовалов Алексей Антонович (RU)
Пустовалов Сергей Алексеевич (RU)
Цветков Лев Алексеевич (RU)
Цветков Сергей Львович (RU) 

Реферат


Изобретение относится к атомной и полупроводниковой технике, в частности к изготовлению маломощных источников электроэнергии с использованием радиоактивных изотопов и полупроводниковых преобразователей. Предлагается конструкция полупроводникового преобразователя бета-излучения в электроэнергию, содержащий пластину полупроводника с текстурированной поверхностью, диодную структуру вдоль текстурированной поверхности и слой радиоактивного вещества на текстурированной поверхности. Текстурированная поверхность пластины полупроводника выполнена в виде множества сквозных каналов, имеющих форму круга, овала, прямоугольника или другую произвольную форму, а радиоактивное вещество, содержащее радионуклид никель-63, тритий или оба вместе, покрывает стенки каналов и большую часть остальной поверхности пластины полупроводника. Изобретение обеспечивает возможность упрощения способа и снижения стоимости изготовления бета преобразователя, а также повышения его удельной электрической мощности и надежности в эксплуатации. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"