Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 
Главная       Патентный отдел       Технологии       Справочник ГРНТИ       Прием       Наши координаты       Обратная связь      

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ И - НЕ НА ОСНОВЕ СЛОИСТОЙ ТРЕХМЕРНОЙ НАНОСТРУКТУРЫ

Номер публикации патента: 2452058

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010119061/28 
   Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 6 
Основные коды МПК: H01L027/04   B82B001/00    
Аналоги изобретения: RU 2094910 C1, 27.10.1997. RU 2073935 C1, 20.02.1997. RU 2019893 C1, 15.09.1994. JP 61269356 A, 28.11.1986. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" (RU) 
Изобретатели: Воробьев Виталий Владимирович (RU)
Соснин Алексей Анатольевич (RU)
Трубочкина Надежда Константиновна (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Сущность изобретения заключается в том, что в интегральном логическом элементе И-НЕ на основе слоистой трехмерной наноструктуры, содержащем первый и второй логические транзисторы, первый и второй инжектирующие транзисторы и подложку, логическая структура выполнена наноразмерной со ступенчатым профилем. Технический результат - повышение быстродействия и снижение потребляемой мощности. 18 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь 		Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"