WO 2010083899 A1, 29.07.2010. ФАЛЬКЕВИЧ Э.С. Технология полупроводникового кремния. - М.: Металлургия, 1992, с.218, 219. НАШЕЛЬСКИЙ А.Я. Технология спецматериалов электронной техники. - М.: Металлургия, 1993, с.87.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Красноярский машиностроительный завод" (RU)
Изобретатели:
Сарапулов Кирилл Борисович (RU) Панов Петр Иннокентьевич (RU) Кутаков Виктор Васильевич (RU) Сотников Павел Анатольевич (RU) Гавриленко Ксения Валериевна (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Красноярский машиностроительный завод" (RU)
Реферат
Изобретение относится к устройствам, специально предназначенным для выращивания поликристаллического кремния, а именно к системе охлаждения колпака реактора для выращивания поликристаллического кремния, преимущественно путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые стержневые подложки (основы). Система охлаждения колпака реактора состоит из двух жидкостных циркуляционных контуров. Первый жидкостный циркуляционный контур 1 образован между внутренней 2 и наружной 3 рубашками охлаждения и снабжен патрубками ввода 4 и вывода 5 охлаждающей среды, второй жидкостный циркуляционный контур 6, образован цилиндрической обечайкой 7, установленной внутри колпака реактора и жестко связанной с внутренней 2 рубашкой охлаждения и шпангоутом 8. Система снабжена дополнительными патрубками ввода 9 и вывода 10 охлаждающей среды. Цилиндрическая обечайка 7 может быть выполнена из аустенитной стали, внутренняя рубашка охлаждения 2 - из биметалла: аустенитная сталь - углеродистая сталь, а шпангоут - из углеродистой стали. Образование второго контура охлаждения обеспечивает охлаждение шпангоута с внутренней стороны реактора, что улучшает температурные условия работы шпангоута. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента