Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ - ДИАПАЗОНА

Номер публикации патента: 2450388

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010151846/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L025/16    
Аналоги изобретения: Климачев И.И., Иовдальский В.А. ГИС СВЧ Конструирование и технология. Изд. «Техносфера». - М., 2006, с.229. RU 2314595 С2, 10.01.2008. RU 92015106 А, 10.10.1996. KR 0100420794 В1, 27.09.1999. 

Имя заявителя: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU) 
Изобретатели: Далингер Александр Генрихович (RU)
Шацкий Сергей Владимирович (RU)
Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU) 

Реферат


Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона приемопередающего модуля активной фазированной антенной решетки, а также повышение ее технологичности. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, представляющая собой приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки, имеющий два приемных и один передающий каналы, выполнена в виде многослойной платы с навесными компонентами, установленной и закрепленной на металлическом теплоотводящем основании и закрытой диэлектрической крышкой. Диэлектрические подложки многослойной платы выполнены керамическими, топологический рисунок металлизации выполнен по толстопленочной технологии, в качестве навесных компонентов использованы гибридно-монолитная схема усилителя мощности, монолитные полупроводниковые интегральные схемы. Микрополосковые входные и выходные СВЧ-выводы расположены на отдельных тонкопленочных платах и установлены на металлическом теплоотводящем основании в специальных выемках по два с двух противоположных сторон многослойной платы. Крышка выполнена выпуклой, на ее внутреннюю поверхность методом толстопленочной технологии нанесена экранная заземляющая металлизация, а на наружной поверхности выполнены низкочастотные выводы с контактными площадками. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"