АРЕШКИН А.Г. и др. Бесконтактный лазерный интерференционный метод неразрушающего исследования рекомбинационных характеристик электронов и дырок в полупроводниках, Известия Академии Наук, сер. Физическая, 1992, т.56, вып.12, с.121-129. SU 1778821 A1, 30.11.1992. RU 2006987 C1, 30.01.1994. SU 1356901 A1, 20.12.1995. JP 2001007173 A, 12.01.2001. JP 11026532 A, 29.01.1999. JP 60076136 A, 30.04.1985.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Западный государственный заочный технический университет" (ФГБОУ ВПО "СЗТУ") (RU)
Изобретатели:
Федорцов Александр Борисович (RU) Иванов Алексей Сергеевич (RU) Чуркин Юрий Валентинович (RU) Манухов Василий Владимирович (RU) Гончар Игорь Валерьевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Западный государственный заочный технический университет" (ФГБОУ ВПО "СЗТУ") (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного определения времени жизни неравновесных носителей заряда в тонких полупроводниковых пластинках. В способе используется дифференциальная оптическая схема, при помощи которой луч зондирующего лазера сначала разделяется на два луча, один из которых проходит через образец в той точке, где проводятся измерения, а другой в точке, расположенной на расстоянии, много большем диффузионной длины носителей заряда от нее. После этого оба луча собираются в одну точку, в которой расположен фотоприемник. Вследствие изменения показателя преломления в окрестности точки образца, в которой проводятся измерения, между этими лучами изменяется разность хода. Благодаря интерференции интенсивность излучения, попавшего на фотоприемник, изменяется. Рассчитав изменение показателя преломления по изменению интенсивности падающего на фотоприемник излучения и зная параметры коротковолнового инжектирующего излучения, расчетным путем определяют время жизни носителей заряда. Применение такой схемы позволяет увеличить чувствительность метода примерно в пять раз. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента