Wan Sik Hwang et al. Investigation of etching properties of metal nitride/high-k gate stacks using inductively coupled plasma. J. Vac. Sci. Technol. A 23(4) p 964-970, Jul/Aug 2005. Denis Shamiryan et al. Profile control of novel non-Si gates using BCl3/N2 plasma. J. Vac. Sci. Technol. В 25 (3), p 739, May/Jim 2007. US 7521369 B2, 21.04.2009. US 7723173 В2, 25.05.2010. US 7749879 В2, 06.07.2010. RU 2018992 C1, 30.08.1994.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Изобретатели:
Данила Андрей Владимирович (RU) Гущин Олег Павлович (RU) Красников Геннадий Яковлевич (RU) Бакланов Михаил Родионович (RU) Шамирян Денис Георгиевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии полупроводникового производства, в частности к формированию затворов в КМОП технологии. Сущность изобретения: состав газовой смеси для формирования нитрид танталового затвора в плазме характеризуется тем, что плазма возбуждается в газовой смеси, содержащей трихлорид бора и кислород. Техническим результатом изобретения является исключение бокового подтравливания нитрида тантала, увеличение прецизионности травления, увеличение производительности за счет сквозного травления нитрида тантала и подзатворного диэлектрика из окиси гафния (НfO 2) до кремния в одну стадию, уменьшение дефектообразования и увеличение выхода годных. 1 з.п. ф-лы, 15 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента