Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Изобретатели:
Дерменжи Пантелей Георгиевич (RU) Локтаев Юрий Михайлович (RU) Нисневич Яков Давидович (RU) Сурма Алексей Маратович (RU) Черников Анатолий Александрович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Реферат
Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления силовых диодов, динисторов и тиристоров, содержащих, по меньшей мере, один высоковольтный p-n-переход с прямой фаской. Техническим результатом изобретения является повышение напряжения лавинного пробоя p-n переходов с прямой фаской. Сущность изобретения: в способе изготовления высоковольтного силового полупроводникового прибора, включающем изготовление на исходной кремниевой пластине краевого конусообразного скоса под углом и диффузионного слоя, образующего высоковольтный p-n-переход тарельчатой формы, состоящий из конусообразной периферийной части и плоской центральной части, создание последующих диффузионных слоев и электродов, изготовление путем шлифовки на сферах прямой фаски под углом , превышающим угол , и прямой фаски для удаления части конусообразного участка базового p-слоя, прямую фаску для удаления части конусообразного участка базового p-слоя изготавливают шлифовкой на сфере того же радиуса, который используется для изготовления скоса на исходной пластине. Ширина конусообразного краевого скоса bкс может быть выбрана по представленной формуле. 1 з.п. ф-лы, 6 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента