RU 2260218 C1 G21K 1/06, 10.09.2005. RU 2278432 С2 G21K 1/06, 20.06.2006. ЕР 1739687 А2 G21K 1/06, 03.01.2007. US 2004218718 A1 G21K 1/06, 04.11.2004. DE 102005056829 A1 G21K 1/06, 17.08.2006. БЛАГОВА А.Е. и др. ЖЭТФ т.128 вып.5 (11) 2005 с.894-895.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU)
Изобретатели:
Трушин Владимир Николаевич (RU) Маркелов Алексей Сергеевич (RU) Чупрунов Евгений Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU)
Реферат
Изобретение относится к рентгеновской оптике, а именно к технике управления рентгеновским излучением с использованием рентгеновских монохроматоров, и может найти применение в рентгеновском структурном анализе при исследовании кристаллических структур, в том числе в технике рентгеновской спектрометрии, рентгеновской дифрактометрии, рентгеновской топографии и др. Технический результат заключается в расширении возможностей его применения в рентгенооптических схемах с большим разрешением за счет обеспечения полосы пропускания кристалла-монохроматора в больших пределах. Способ формирования рентгеновского излучения включает облучение дифрагирующего слоя кристалла-монохроматора исходным рентгеновским излучением и оптическим излучением видимого и/или инфракрасного диапазона длин волн с интенсивностью, изменяющейся вдоль дифрагирующего слоя кристалла-монохроматора, при этом используют кристалл-монохроматор на основе кристалла, в котором в дифрагирующем слое под воздействием оптического излучения и в соответствии с ним изменяется межплоскостное расстояние. Кристалл-монохроматор облучают оптическим излучением с интенсивностью, линейно изменяющейся вдоль одной из координат дифрагирующего слоя. Предложены варианты рентгеновских монохроматоров для реализации способа формирования рентгеновского излучения. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента