Учреждение Российской академии наук Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра РАН (ИХТРЭМС КНЦ РАН) (RU)
Изобретатели:
Колосов Валерий Николаевич (RU) Шевырев Александр Александрович (RU) Калинников Владимир Трофимович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра РАН (ИХТРЭМС КНЦ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к криогенной технике и может быть использовано при изготовлении сверхпроводящих изделий, в частности высокочастотных объемных резонаторов, волноводов, линий задержки и т.п. устройств. Формируют листовой штамповкой металлическую основу из никеля, кобальта, меди или сплава этих металлов. На наружную поверхность основы сверхпроводящего изделия последовательно наносят электрохимическим осаждением многослойное покрытие, состоящее из защитного слоя из хрома, молибдена или вольфрама, сверхпроводящего слоя из ниобия или станнида ниобия, стабилизирующего слоя из тантала или его сплава с ниобием и опорного теплопроводного медного слоя. После нанесения защитного слоя его подвергают механическому полированию до обеспечения чистоты поверхности 0,1 мкм и менее. Сверхпроводящий слой изделия наносят осаждением из расплава солей галогенидов щелочных металлов и солей ниобия или ниобия и олова при температуре 750-850°С и катодной плотности тока 100-500 А/м2. После полирования сверхпроводящего слоя изделие подвергают отжигу в вакууме при температуре 500-900°С. Предлагаемый способ обеспечивает снижение поверхностного сопротивления объемных резонаторов на высоких частотах в 1,28-1,41 раза и увеличение добротности на 28-40%. При этом снижается уровень потерь энергии, обусловленных токами автоэлектронной эмиссии. 6 з.п. ф-лы, 6 пр., 1 ил.,1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента