Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


САПФИР С r - ПЛОСКОСТЬЮ, СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Номер публикации патента: 2448204

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010122014/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/34   C30B029/20   C30B029/64   C30B015/14   C30B015/20    
Аналоги изобретения: US 7282381 В2, 16.10.2007. US 2005247260 A1, 10.11.2005. US 2005227117 A1, 13.10.2005. KR 20070039607 A, 12.04.2007. СТАСЕВИЧ В.Н. Технология монокристаллов. - М.: Радио и связь, 1990, с.74. 

Имя заявителя: СЭНТ-ГОБЭН КЕРАМИКС ЭНД ПЛАСТИКС, ИНК. (US) 
Изобретатели: МАК III Гилфорд Л. (US)
ДЖОНС Кристофер Д. (US)
ПРАНАДИ Фери (US)
ЛОЧЕР Джон В. (US)
ЗАНЕЛЛА Стивен А. (US)
БЕЙТС Герберт Е. (US) 
Патентообладатели: СЭНТ-ГОБЭН КЕРАМИКС ЭНД ПЛАСТИКС, ИНК. (US) 
Приоритетные данные: 21.11.2007 US 60/989,756
20.11.2008 US 12/274,593 

Реферат


Изобретение относится к керамике, в частности к технологии производства монокристаллического сапфира. В одном из вариантов описан способ формирования монокристаллического сапфира с r-плоскостью, включающий следующие стадии: стадию, на которой приспособление с расплавом затравливают затравкой, имеющей ориентацию r-плоскости, практически параллельную продольной оси отверстия формообразователя и параллельную направлению выращивания кристалла; стадию, на которой кристаллизуют монокристаллический сапфир над формообразователем, причем монокристаллический сапфир имеет ориентацию r-оси, практически перпендикулярную основной поверхности сапфира; стадию, на которой монокристаллический сапфир пропускают через первую область, имеющую первый температурный градиент менее примерно 26°С/см; и последующую стадию, на которой сапфир пропускают через вторую область, имеющую второй температурный градиент менее примерно 6,4°С/см, причем первая область граничит с наконечником формообразователя и имеет длину менее примерно полдюйма, а вторая область граничит с первой областью. Изобретение обеспечивает получение монокристаллического материала, демонстрирующего отсутствие малоугловых границ. 10 н. и 15 з.п. ф-лы, 11 ил., 1 пр.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"