US 7282381 В2, 16.10.2007. US 2005247260 A1, 10.11.2005. US 2005227117 A1, 13.10.2005. KR 20070039607 A, 12.04.2007. СТАСЕВИЧ В.Н. Технология монокристаллов. - М.: Радио и связь, 1990, с.74.
Имя заявителя:
СЭНТ-ГОБЭН КЕРАМИКС ЭНД ПЛАСТИКС, ИНК. (US)
Изобретатели:
МАК III Гилфорд Л. (US) ДЖОНС Кристофер Д. (US) ПРАНАДИ Фери (US) ЛОЧЕР Джон В. (US) ЗАНЕЛЛА Стивен А. (US) БЕЙТС Герберт Е. (US)
Патентообладатели:
СЭНТ-ГОБЭН КЕРАМИКС ЭНД ПЛАСТИКС, ИНК. (US)
Приоритетные данные:
21.11.2007 US 60/989,756 20.11.2008 US 12/274,593
Реферат
Изобретение относится к керамике, в частности к технологии производства монокристаллического сапфира. В одном из вариантов описан способ формирования монокристаллического сапфира с r-плоскостью, включающий следующие стадии: стадию, на которой приспособление с расплавом затравливают затравкой, имеющей ориентацию r-плоскости, практически параллельную продольной оси отверстия формообразователя и параллельную направлению выращивания кристалла; стадию, на которой кристаллизуют монокристаллический сапфир над формообразователем, причем монокристаллический сапфир имеет ориентацию r-оси, практически перпендикулярную основной поверхности сапфира; стадию, на которой монокристаллический сапфир пропускают через первую область, имеющую первый температурный градиент менее примерно 26°С/см; и последующую стадию, на которой сапфир пропускают через вторую область, имеющую второй температурный градиент менее примерно 6,4°С/см, причем первая область граничит с наконечником формообразователя и имеет длину менее примерно полдюйма, а вторая область граничит с первой областью. Изобретение обеспечивает получение монокристаллического материала, демонстрирующего отсутствие малоугловых границ. 10 н. и 15 з.п. ф-лы, 11 ил., 1 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента