RU 2370319 С2, 20.10.2009. RU 2328015 С2, 27.06.2008. RU 63982 U1, 10.06.2007. US 2003102863 A1, 05.06.2003. US 4949039 A, 14.08.1990. US 2002149358 A1, 17.10.2002. US 5602471 A, 11.02.1997. Физика металлов и металловедение, 2004, том 97, 3, с.15-23.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (RU)
Изобретатели:
Скиданов Владимир Александрович (RU) Назаров Андрей Александрович (RU) Ветошко Петр Михайлович (RU) Новак Виктор Рудольфович (RU) Стемпковский Александр Леонидович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к формированию интенсивного неоднородного магнитного поля в ограниченном пространстве и может быть использовано для эффективных головок записи на магнитные носители с высокой плотностью информации и устройств для переключения спинтронных нанокомпонентов в электронике, повышения пространственного разрешения, чувствительности и функциональных возможностей магнитных сенсорных устройств, в частности магнитных силовых микроскопов, создание новых типов биочипов для биохимической диагностики среды на основе манипуляторов магнитными нанометками, сепарации биологических нанообъектов и химических веществ по их магнитным свойствам в микро- и нанообъемах и др. Технический результат состоит в повышении пространственного разрешения и управлении величиной и знаком локального поля посредством внешнего магнитного поля. Локализованное магнитное поле формируют в пространстве над зазором между открытыми торцами, лежащими в одной плоскости, двух параллельных ферромагнитных слоев, разделенных слоем, обеспечивающим антиферромагнитную связь между ферромагнитными слоями. Размеры локализации задают толщиной разделительного слоя между ферромагнитными слоями, которые выполняют из магнитомягких материалов с толщинами слоев h1 и h2, удовлетворяющих соотношению M1h 1=M2h2, где M1 и М 2 - намагниченности насыщения соответствующих ферромагнитных слоев, а направление поля над зазором задают разностью суммарных магнитных моментов ферромагнитных слоев. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента