US 6549072 В1, 15.04.2003. US 4418290 А, 29.11.1983. US 4095164 А, 13.06.1978. ПОЛОННИКОВ Д.Е. Операционные усилители: принципы построения, теория, схемотехника. - М.: Энергоатомиздат, 1983, с.94, рис.3.9.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Изобретатели:
Прокопенко Николай Николаевич (RU) Серебряков Александр Игоревич (RU) Будяков Петр Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, решающих усилителях с малыми значениями э.д.с. смещения нуля и его дрейфа в условиях воздействия температуры или радиации). Технический результат: повышение Ку , а также уменьшение напряжения смещения нуля (Uсм ). Дифференциальный усилитель содержит первый (1) и второй (2) входные транзисторы, объединенные эмиттеры которых связаны с первым (3) источником питания через первый (4) токостабилизирующий двухполюсник, токовое зеркало (5), общий эмиттерный выход которого соединен со вторым (6) источником питания, первый (7) выходной транзистор, эмиттер которого связан со вторым (6) источником питания, коллектор соединен с выходом устройства (8) и через второй токостабилизирующий двухполюсник (9) подключен к первому (3) источнику питания, а база подключена к выходу токового зеркала (5) и коллектору второго (2) входного транзистора, причем коллектор первого (1) входного транзистора связан со входом токового зеркала (5). В схему введены третий (10) и четвертый (11) входные транзисторы, эмиттеры которых подключены к эмиттерам первого (1) и второго (2) входных транзисторов, коллектор четвертого (11) входного транзистора соединен с коллектором второго (2) входного транзистора, базы второго (2) и четвертого (11) входных транзисторов соединены, базы третьего (10) и первого (1) входных транзисторов связаны друг с другом, коллектор третьего (10) входного транзистора подключен ко второму (6) источнику питания, база первого (12) дополнительного транзистора соединена с базой первого (7) выходного транзистора, эмиттер первого (12) дополнительного транзистора подключен к шине второго (6) источника питания, коллектор первого (12) дополнительного транзистора связан с эмиттером второго (13) дополнительного транзистора, база второго (13) дополнительного транзистора соединена с коллектором первого (1) входного транзистора, а коллектор второго (13) дополнительного транзистора подключен к первому (3) источнику питания, причем коэффициент передачи по току токового зеркала (5) близок к двум единицам. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента