Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ GaN ИЛИ AlGaN

Номер публикации патента: 2446236

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007118155/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B023/00   C30B029/38    
Аналоги изобретения: KAMLER G. et al. Bulk GaN single-crystals growth // Journal of Crystal Growth. - 2000, vol.212, no.1-2, p.p.39-48. JP 2004288964 A, 14.10.2004. SHIN H. et al. High temperature nucleation and growth of GaN crystals from the vapor phase // Journal of Crystal Growth. - 2002, vol.241, no.4, p.p.404-415. GB 1160162 A, 30.07.1969. WO 0068470 A1,16.11.2000. EP 937790 A2, 25.08.1999. JP 2004134620 A, 30.04.2004. RU 2132890 С1, 10.07.1999. 

Имя заявителя: АЗЗУРРО СЕМИКОНДАКТОРС АГ (DE) 
Изобретатели: ДАДГАР Армин (DE)
КРОСТ Алоис (DE) 
Патентообладатели: АЗЗУРРО СЕМИКОНДАКТОРС АГ (DE) 
Приоритетные данные: 16.10.2004 DE 102004050806.2 

Реферат


Изобретение относится к технологии получения монокристаллов нитрида галлия или нитрида алюминия-галлия. Способ включает следующие стадии: приготовление металлического расплава из чистого галлия или из смеси алюминия и галлия в плавильном тигле, выпаривание галлия или галлия и алюминия из металлического расплава, разложение предшественника азота путем термического воздействия или посредством плазмы и выращивание монокристалла GаN или АlGaN на затравочном кристалле под давлением менее чем 10 бар, при котором выпаривание галлия или галлия и алюминия проводят при температуре выше температуры выращиваемого кристалла, но по меньшей мере при 1000°С, и при котором газовый поток газа азота, газа водорода, инертного газа или сочетания этих газов пропускают над поверхностью металлического расплава таким образом, что этот газовый поток над поверхностью металлического расплава предотвращает контакт предшественника азота с металлическим расплавом, при этом либо металлический расплав приготавливают в реакторной камере в плавильном тигле, который, кроме по меньшей мере одного впуска газа-носителя и по меньшей мере одного отверстия для выпуска газа-носителя, закрыт со всех сторон, и при этом газовый поток вводят в плавильный тигель через впуск газа-носителя над металлическим расплавом и транспортируют с парами металла металлического расплава из плавильного тигля через отверстие для выпуска газа-носителя, и предшественник азота вводят в реакционную зону в реакторной камере, либо приготовление металлического расплава включает в себя размещение плавильного тигля в реакторной камере, газовый поток вводят в реакторную камеру через впуск газа-носителя над металлическим расплавом, и предшественник азота вводят в реакционную зону в реакторной камере. Изобретение обеспечивает рост кристалла при помощи реакции расплавленного галлия с реакционно-способным предшественником азота без образования корки на поверхности расплава галлия и связанных с этим проблем при росте кристалла. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 9 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"