WO 2010033641 A1, 25.03.2010. RU 2100874 C1, 27.12.1997. RU 2008138892 A, 10.04.2010. WO 2008121676 A1, 09.10.2008. EP 1089344 A2, 04.04.2001. JP 9232576 A, 05.09.1997.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" (RU)
Изобретатели:
Игнатова Эльза Сергеевна (RU) Сазонтьев Владимир Владимирович (RU) Трубочкина Надежда Константиновна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Техническим результатом изобретения является создание полупроводниковой структуры нанометрового размера, обладающей пониженной мощностью потребления, уменьшенной стоимостью и обладающей большей функциональностью. Сущность изобретения: в полупроводниковой структуре инвертора, содержащей подложку и полупроводниковые области первого и второго типа проводимости, на подложке расположена первая полупроводниковая область второго типа проводимости, сформированная в виде нанослоя высотой не менее 8 нм, которая является стоком первого транзистора первого типа проводимости, к которой подключен контакт нулевого потенциала; вторая полупроводниковая область первого типа проводимости, сформированная в виде нанослоя высотой не менее 8 нм, которая является истоком второго транзистора второго типа проводимости, к которой подключен контакт питания; на первой полупроводниковой области второго типа проводимости расположена первая полупроводниковая область первого типа проводимости, сформированная в виде нанослоя высотой не менее 8 нм, которая является подзатворной областью первого транзистора первого типа проводимости, который имеет тонкий боковой окисел, на который подается входной сигнал, на первой полупроводниковой области первого типа проводимости расположена вторая полупроводниковая область второго типа проводимости, сформированная в виде нанослоя высотой не менее 8 нм, которая является истоком первого транзистора первого типа проводимости, к которой подключен выходной контакт, на второй полупроводниковой области первого типа проводимости расположена третья полупроводниковая область второго типа проводимости, сформированная в виде нанослоя высотой не менее 8 нм, которая является подзатворной областью второго транзистора второго типа проводимости, имеющего тонкий боковой окисел, на который подается входной сигнал, на третьей полупроводниковой области второго типа проводимости расположена третья полупроводниковая область первого типа проводимости, сформированная в виде нанослоя высотой не менее 8 нм, которая является стоком второго транзистора второго типа проводимости, к которой подключен выходной контакт, транзисторы первого и второго типа проводимости разделены диэлектрическими областями. В качестве диэлектрика для области с диэлектрическими свойствами используются окислы или газы. 1 з.п. ф-лы, 19 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента