Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

Номер публикации патента: 2444087

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009145908/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/142   H01L031/18    
Аналоги изобретения: SU 288163 А, 05.02.1971. RU 2331139 C1, 10.08.2008. RU 2336596 C1, 20.10.2008. US 4516314 A, 14.05.1995. 

Имя заявителя: Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) (RU) 
Изобретатели: Стребков Дмитрий Семенович (RU)
Заддэ Виталий Викторович (RU) 
Патентообладатели: Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей. Сущность изобретения: в полупроводниковом фотопреобразователе, содержащем матрицу из скоммутированных последовательно с помощью контактов микроэлементов с базовой областью, легированными областями в виде диодных п+-p-p++-п-п+) структур и просветляющей пленкой, плоскости п++ (p+-п) переходов, изотипных р-р+ (п-п+) переходов и контактов к легированным п++) областям перпендикулярны к двум рабочим сторонам, на которые падает излучение, а один или два линейных размера каждого микроэлемента соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей заряда в базовой области, каждый микроэлемент содержит вдоль рабочих сторон области с дополнительными изотипными р-р+ (п-п+) переходами, отделенными от п+-р (р+-п) переходов и изотипных переходов промежутком, ширина которого, по меньшей мере, в 10 раз меньше размера микроэлемента, а участки базовой и легированных п+ (p+) областей на рабочих сторонах содержат пассивирующую просветляющую пленку. Изобретение обеспечивает повышение КПД и снижение стоимости изготовления фотоэлектрических преобразователей, состоящих из множества микрофотопреобразователей. 6 н.п. ф-лы, 2 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"