WO 00/17278 A1, 30.03.2000. SU 1840423 A1, 20.03.2007. RU 2008130383 A1, 27.01.2010. JP 2001073145 A, 21.03.2001.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU), Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН (ИНХ СО РАН) (RU), Сибирское отделение Международного института нелинейных исследований (СО МИНИ) (RU)
Изобретатели:
Бадалян Арам Мамиконович (RU) Кашников Борис Петрович (RU) Поляков Олег Васильевич (RU) Пчеляков Олег Петрович (RU) Смирнов Геннадий Иванович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU) Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН (ИНХ СО РАН) (RU) Сибирское отделение Международного института нелинейных исследований (СО МИНИ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологиям изготовления полупроводниковых приборов, в частности каталитически активных слоев, и может быть использовано для получения гетероструктур микро- и наноэлектроники, высокоэффективных катализаторов с развитой высокопористой поверхностью носителя, а также для получения новых наноматериалов. Предварительно формируют рабочую газовую среду, содержащую летучий металлокомплекс, образованный малыми 2-5-атомными молекулами-лигандами, осуществляют его перенос к поверхности, подлежащей металлизации, воздействие, приводящее к декомпозиции металлокомплекса, и осаждение металлического слоя. Формирование рабочей газовой среды, синтез металлокомплекса и металлизацию поверхности осуществляют в одном и том же объеме реактора. Для синтеза летучего металлокомплекса используют молекулы-лиганды, образующие с металлами аммиакаты, карбонильные комплексы и их гомологи или молекулы-лиганды, находящиеся в короткоживущем свободнорадикальном, ионизованном или возбужденном состоянии. В качестве дисперсной насыпки, используемой для синтеза металлокомплекса, используют медь, оксид меди или их смесь. Обеспечивается повышение эффективности и качества металлизации, производительности и воспроизводимости процесса металлизации, достижение возможности металлизации наноструктур и непрерывности процесса нанесения двух и более слоев разных материалов, а также расширение ассортимента используемых для металлизации материалов и получаемых металлизированных покрытий и ассортимента материалов, поверхность которых подлежит металлизации. 18 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента