Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР

Номер публикации патента: 2443044

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010144643/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01S005/065   H01S005/32   H01S005/042    
Аналоги изобретения: RU 2259620 C1, 27.08.2005. WO 2010060998 A2, 03.06.2010. EP 0735635 A2, 02.10.1996. RU 2309501 C1, 27.10.2007. 

Имя заявителя: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) 
Изобретатели: Слипченко Сергей Олегович (RU)
Тарасов Илья Сергеевич (RU)
Пихтин Никита Александрович (RU) 
Патентообладатели: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) 

Реферат


Лазер на основе гетероструктуры содержит волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами p- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую из квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор и полосковый омический контакт, под которым расположена область инжекции. В волноводный слой вне области инжекции введена область полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области. При этом фактор оптического ограничения замкнутой моды области упомянутого полупроводникового материала удовлетворяет соотношению:
где , , - значения составляющих фактора оптического ограничения Г для ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, отн.ед.; NB - оптические потери, связанные с межзонным поглощением излучения ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, см-1. Технический результат заключается в обеспечении увеличения выходной оптической мощности как в непрерывном, так и в импульсном режимах токовой накачки, а также в повышении временной стабильности выходной оптической мощности. 12 з.п. ф-лы, 4 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"