Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


НАНОУСТРОЙСТВО И СПОСОБ

Номер публикации патента: 2442746

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2006139740/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: B81B001/00   B81B003/00    
Аналоги изобретения: US 2002060514 A1, 23.05.2002. US 6812635 B2, 02.11.2004. US 5266155 A, 30.11.1993. JP 2005150091 A, 09.06.2005. RU 2210134 C2, 10.08.2003. 

Имя заявителя: ШЛЮМБЕРГЕР ТЕКНОЛОДЖИ Б.В. (NL),
ДЗЕ БОРД ОФ СЬЮПЕРВАЙЗОРЗ ОФ ЛУИЗИАНА СТЭЙТ ЮНИВЕРСИТИ ЭНД ЭГРИКАЛЧУРАЛ ЭНД МЕКЭНИКАЛ КОЛЛЕДЖ (US) 
Изобретатели: ВЕНЕРУСО Энтони Ф. (FR)
ЮЛЛО Джон (US)
ГЕРЕЗ Дэвид (US)
ВЭЙ Бинцин (US)
КРИШНА Абхилаш (US) 
Патентообладатели: ШЛЮМБЕРГЕР ТЕКНОЛОДЖИ Б.В. (NL)
ДЗЕ БОРД ОФ СЬЮПЕРВАЙЗОРЗ ОФ ЛУИЗИАНА СТЭЙТ ЮНИВЕРСИТИ ЭНД ЭГРИКАЛЧУРАЛ ЭНД МЕКЭНИКАЛ КОЛЛЕДЖ (US) 
Приоритетные данные: 10.11.2005 US 11/164,118 

Реферат


Изобретение относится к устройствам, основанным на нанотехнологии, таким как нанодиоды и нанопереключатели. Сущность изобретения: переключающее устройство с наноэмиттером содержит опорную структуру, служащую опорной поверхностью, первую электропроводную структуру, служащую второй поверхностью, размещенную под углом относительно опорной поверхности, по меньшей мере один наноэмиттер электронов, сформированный на второй поверхности, вторую электропроводную структуру, диэлектрик, размещенный между первой и второй электропроводными структурами, при этом первая электропроводная структура, диэлектрик и вторая электропроводная структура образуют нанопереключатель, который при активации вызывает разрыв диэлектрика так, что формируется путь электрического тока через диэлектрический материал и обеспечивается протекание электрического тока между первой и второй электропроводными структурами. Изобретение обеспечивает получение эффективных экономичных переключающих устройств с наноэмиттерами. 3 н. и 20 з.п. ф-лы, 11 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"