Корешев С.Н. и др. Голографическая фотолитография на основе тонких пленок халькогенидного стеклообразного полупроводника// Оптический журнал. - 2007, 7, том 74. стр.80-85. SU 1577555 A1, 20.01.1996. SU 319124 A, 30.12.1971. US 7732122 B2, 08.06.2010. JP 2010087086 A, 15.04.2010. JP 2009020534 А, 29.01.2009. JP 58022382 А, 09.02.1983. JP 58153334 А, 12.09.1983. JP 58174581 А, 13.10.1983.
Имя заявителя:
Ратушный Владислав Петрович (RU)
Изобретатели:
Ратушный Владислав Петрович (RU) Корешев Сергей Николаевич (RU) Белых Анна Васильевна (RU) Дубровина Татьяна Григорьевна (RU)
Патентообладатели:
Ратушный Владислав Петрович (RU)
Реферат
Изобретение относится к фотолитографии и может быть использовано в микроэлектронике. Технический результат изобретения заключается в получении изображения заданной топологии за счет существенного различия скоростей травления кристаллических и аморфных участков хрома в химическом травителе. Сущность изобретения: способ формирования топологического изображения в пленке хрома включает в себя этапы: нанесения методом вакуумного распыления рентгеноаморфной пленки хрома в вакуумной камере электронно-лучевым методом или методом магнетронного напыления, формирования слоя фоторезиста, экспонирования фотопластин, химического травления, ионно-лучевой обработки рентгеноаморфной пленки хрома в вакуумной камере, заполненной газовой смесью, с использованием в качестве источника ионного пучка источника Кауфмана, удаления оставшейся маски фоторезиста, химического травления пленки хрома в цериевом травителе с добавлением серной кислоты, при этом рентгеноаморфную пленку хрома наносят до толщины от 150 нм до 500 нм, слой фоторезиста формируют толщиной не менее 250 нм, ионно-лучевую обработку рентгеноаморфной пленки хрома проводят через маску фоторезиста в течение не менее 30 секунд с помощью сеточного ионного источника Кауфмана при давлении газовой смеси (4-6)·10-2 Па, при этом газовая смесь содержит аргон от 70 до 95 мас.%, хладон 218 (C3F8) от 30 до 5 мас.%, а также остаточные газы, удаление оставшейся маски фоторезиста проводят в слабом 0,5%-ном щелочном растворе и промывают подложку с пленкой хрома в дистиллированной воде. 8 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента