Черный Б.И., Новоженюк Л.И. Свободные маски в технологии электронной техники. Зарубежная электронная техника. 2, 1981, с.20. RU 2091904 С1, 27.09.1997. SU 1814451 А1, 10.03.1996. US 5536364 А, 16.07.1996. US 4741799 А, 03.05.1988. ЕР 1030353 А1, 23.08.2000.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежский государственный архитектурно-строительный университет ГОУВПО ВГАСУ (RU)
Изобретатели:
Абрамов Александр Владимирович (RU) Панкратова Елена Александровна (RU) Суровцев Игорь Степанович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежский государственный архитектурно-строительный университет ГОУВПО ВГАСУ (RU)
Реферат
Изобретение относится к способам общего назначения для обработки материалов с помощью электрической энергии и может быть использовано в технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ локальной плазмохимической обработки материала через маску включает размещение материала между двумя электродами рабочей поверхностью к первому из них, защиту части рабочей поверхности материала маской и возбуждение электрического разряда в газе между электродами подачей на них напряжения. Толщину используемой маски выбирают больше всех тех ее возможных при данном режиме возбуждения электрического разряда значений, при которых у той поверхности маски, которая обращена к первому электроду, происходит электрический разряд. Новым в способе является использование маски такой достаточно большой толщины, при которой электрический разряд у поверхности маски, обращенной к первому электроду, не загорается. Поэтому электрический разряд горит только в пространстве между открытыми участками материала и первым электродом, что повышает эффективность использования электроэнергии и плазмообразующего газа, а также увеличивает скорость травления. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента