RU 2326368 C1, 10.06.2008. RU 2256168 C2, 10.07.2005. RU 2349904 C1, 20.05.2009. RU 2326368 C1, 10.06.2008. JP 7153809 A, 16.06.1995. JP 6138058 A, 26.10.1992. EP 0451514 A2, 16.10.1991.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" (RU)
Изобретатели:
Усанов Дмитрий Александрович (RU) Постельга Александр Эдуардович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способу определения электропроводности и толщины полупроводниковых слоев на поверхности диэлектрика, и может найти применение в различных отраслях промышленности при контроле свойств полупроводниковых слоев. Техническим результатом изобретения является возможность одновременного определения электропроводности и толщины (d, ), полупроводникового слоя. Предложенный способ заключается в облучении структуры полупроводникового слоя излучением СВЧ-диапазона и измерении частотной зависимости коэффициента отражения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона в выбранном частотном диапазоне при первом и втором значениях температуры, нахождении параметров полупроводникового слоя (d, ), при которых теоретическая частотная зависимость коэффициента отражения электромагнитного излучения наиболее близка к измеренной, и используя известные температурные зависимости, определяют искомую пару значений параметров (d, ), при которой теоретическая частотная зависимость коэффициента отражения электромагнитного излучения наиболее близка к измеренной при втором значении температуры. 3 ил. 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента