Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА С ПРОСВЕТЛЯЮЩИМ ПОКРЫТИЕМ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПРИ СЖИГАНИИ (CCVD) И СООТВЕТСТВУЮЩЕЕ ИЗДЕЛИЕ

Номер публикации патента: 2439008

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008146093/03 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C03C017/36   H01L031/0216    
Аналоги изобретения: JP 2003152202 А, 23.05.2003. WO 01/02622 А2, 11.01.2001. US 6165598 А, 26.12.2000. US 4206252 А, 03.06.1980. US 4792536 А, 20.12.1988. SU 1830053 A3, 23.07.1993. 

Имя заявителя: ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US) 
Изобретатели: МЕЛЛОТТ Натан П. (US)
ТЕЙЛОР Томас Дж. (US)
ТОМСЕН Скотт В. (US) 
Патентообладатели: ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US) 
Приоритетные данные: 24.05.2006 US 60/802,800
01.09.2006 US 11/514,320 

Реферат


Изобретение относится к солнечным элементам с просветляющим покрытием. Технический результат изобретения заключается в уменьшении отражения света от стеклянной подложки. На стеклянную подложку наносят фотоэлектрический слой и просветляющее покрытие, обращенное в сторону падающего света. Для формирования просветляющего покрытия используют пламенный пиролиз. Поверхность просветляющего покрытия имеет шероховатость, которая определяется возвышениями "d" пиков относительно соседних впадин и зазором "g" между соседними пиками или между соседними впадинами. Средняя величина "d" возвышения составляет примерно 5-60 нм, а среднее разделяющее расстояние "g" составляет примерно 10-80 нм. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 3 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"