RU 2234767 C1, 20.08.2004. RU 2380796 C1, 27.01.2010. SU 633099 A, 15.11.1978. EP 2178552 A1, 21.04.2010. JP 2009078456 A1, 25.06.2009. WO 2008103874 A1, 28.08.2008.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" (RU)
Изобретатели:
Усанов Дмитрий Александрович (RU) Скрипаль Александр Владимирович (RU) Куликов Максим Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" (RU)
Реферат
Изобретение относится к устройствам обработки и коммутации СВЧ-сигналов на полупроводниковых приборах и предназначено для использования в телекоммуникационных системах, электрически управляемых устройствах СВЧ-электроники, таких как полосовые или селективные фильтры, антенны, перестраиваемые генераторы. Задачей настоящего решения является реализация возможности создания микрополосковых узкополосных электрически управляемых СВЧ-выключателей и переключателей с повышенным диапазоном изменения мощности прошедшего СВЧ-сигнала от открытого состояния к закрытому. Технический результат заключается в повышении уровня затухания в закрытом состоянии при обеспечении высокой частотной избирательности, а также в уменьшении влияния паразитных активных и реактивных составляющих диода за счет того, что в конструкции p-i-n-диод не включен непосредственно в отрезок микрополосковой линии передачи (МПЛП), что позволяет использовать устройство на более высоких частотах и не создает фактора ограничения максимальной коммутируемой мощности. Поставленная задача достигается тем, что микрополосковый p-i-n-диодный СВЧ-выключатель согласно решению содержит отрезок микрополосковой линии передачи электромагнитных волн, включающий диэлектрическую пластину, металлизированную с одной стороны, и полосковый проводник с другой стороны пластины, короткозамыкатель, соединяющий полосковый проводник с металлизированной стороной диэлектрической пластины; последовательную цепь, состоящую из емкостного и индуктивного элементов, включенную между полосковым проводником и металлизированной стороной пластины, при этом индуктивный элемент выполнен в виде петлевого элемента, который одним или более витками огибает p-i-n-диод, причем p-i-n-диод выполнен с возможностью подключения к источнику управляющего напряжения и гальванически изолирован от последовательной цепи. Отрезок микрополосковой линии передачи расположен на металлическом основании, выполненном выступающим за его пределы, а p-i-n-диод расположен на выступающей части основания со стороны короткозамыкателя, при этом расстояние между короткозамыкателем и p-i-n-диодом не превышает четверти длины электромагнитной волны. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента