Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. - М.: Радио и связь, 1991, с.179-184. US 2001/0055854 A1, 27.12.2001. WO 2005117079 A1, 08.12.2005. JP 60086264 A, 15.05.1985. SU 1056807 A1, 15.01.1994.
Изобретение относится к солнечным элементам и к новому использованию тетрахлорида кремния. Способ производства кремниевой пленки на поверхности субстрата методом осаждения паров, исходя из предшественника на основе кремния, заключается в том, что используемый предшественник представляет собой тетрахлорид кремния, покрытый субстрат очищают или текстурируют, затем диффундируют из газовой фазы или другого источника допирующего вещества при температуре от 800 до 1000°С, стеклянный слой, сформированный в ходе диффундирования, удаляют, тонкое антиотражающее покрытие наносят на электронно-активную кремниевую пленку, затем металлические контакты вплавляют в переднюю и заднюю поверхности покрытого субстрата трафаретной печатью с использованием скачка температуры. Изобретение обеспечивает снижение пожароопасности технологического процесса и стоимости за счет упрощения мер безопасности. 3 н. и 15 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента