Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" (RU)
Изобретатели:
Ильин Александр Петрович (RU) Мостовщиков Андрей Владимирович (RU) Коршунов Андрей Владимирович (RU) Толбанова Людмила Олеговна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области выращивания микромонокристаллов нитрида алюминия. Микрокристаллы нитрида алюминия получают из смеси газа и паров алюминия. Нанопорошок алюминия размещают между полюсами постоянного магнита и нагревают. Процесс осуществляют в атмосфере воздуха при давлении 1 атм в условиях теплового взрыва в магнитном поле постоянного магнита напряженностью 1500 эрстед. Изобретение позволяет получать гексагональный нитрид алюминия микронного размера, который может быть использован в качестве подложек для изготовления элементов наноэлектроники. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента