Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ДЕТЕКТОР ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ДЖОЗЕФСОНОВСКОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ

Номер публикации патента: 2437189

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010137284/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L039/22   B82B001/00    
Аналоги изобретения: WO 2009/101257 A1, 20.08.2009. RU 2325003 C1, 20.05.2008. US 6348699 B1, 19.02.2002. US 7610071 B2, 27.10.2009. JP 11274585 А, 08.10.1999. 

Имя заявителя: Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова (RU) 
Изобретатели: Девятов Игорь Альфатович (RU)
Куприянов Михаил Юрьевич (RU) 
Патентообладатели: Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова (RU) 

Реферат


Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в приемных системах для целей радиоастрономии, интроскопии и спектроскопии. Техническим результатом изобретения является повышение отклика детектора на микроволновое излучение, снижение шумового фактора, возможность реализации четырехзондововой схемы измерений, а также интеграции с СКВИД устройствами считывания информации. Сущность изобретения: детектор терагерцового излучения болометрического типа включает джозефсоновский переход на основе тонкопленочной структуры, содержащей слои сверхпроводникового материала, между которыми размещен связанный с источником измеряемого сигнала абсорбер из нормального металла. Слои сверхпроводникового материала подключены параллельно к источнику тока смещения и измерительной цепи, индуктивно связанной с датчиком магнитного поля на основе СКВИДа и схемой регистрации. Абсорбер из нормального металла имеет форму удлиненной полоски и размещен через слои диэлектрика между слоями сверхпроводникового материала, при этом упомянутая полоска связана с источником измеряемого сигнала посредством элементов, присоединенных через слои изолятора к ее торцам с возможностью обеспечения взаимно перпендикулярных направлений протекания сверхтока и измеряемого сигнала. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"