Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Солдатенков Федор Юрьевич (RU) Сорокина Светлана Валерьевна (RU) Хвостиков Владимир Петрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Способ изготовления солнечного фотоэлектрического преобразователя включает нанесение на периферийную область подложки из n-GaSb диэлектрической маски и формирование на участках фронтальной поверхности подложки, не защищенных диэлектрической маской, высоколегированного слоя р-типа проводимости диффузией цинка из газовой фазы при температуре 450-490°С. Затем удаляют с тыльной стороны подложки образовавшийся в результате диффузии слой p-GaSb и формируют тыльный контакт. Проводят очистку фронтальной поверхности подложки методом ионно-лучевого травления на глубину 5-30 нм и формируют на ней маску фоторезиста. Формируют омический контакт последовательным нанесением адгезионного слоя титана толщиной 5-30 нм и барьерного слоя платины толщиной 20-100 нм методом магнетронного распыления и проводящего слоя золота или серебра термическим испарением. Удаляют маску фоторезиста, проводят разделительное травление структуры на отдельные фотоэлементы и наносят антиотражающее покрытие. Изобретение обеспечивает возможность изготовления фотоэлектрического преобразователя с такой системой металлизации к фронтальным слоям р-GaSb, в которой обеспечивается высокая воспроизводимость формирования омического контакта с малым переходным сопротивлением и с неглубоко лежащей планарной границей раздела металл-полупроводник, что в конечном итоге приведет к повышению процента выхода годных ФЭП; кроме того, предлагаемая система металлизации позволяет избежать необходимости дополнительного углубления p-n-перехода в подконтактных областях ФЭП. Дополнительное упрощение технологии изготовления прибора достигается также за счет формирования многослойного омического контакта повышенной (до 5 мкм) толщины в ходе одного процесса напыления. 8 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента