RU 2262156 С1, 10.10.2005. JP 10200162 A, 31.07.1998. JP 2003218383 A, 31.07.2003. JP 2003258296 A, 12.09.2003. JP 2004119839 A, 15.04.2004. JP 2005223100 A, 18.08.2005. US 2006202216 A1, 14.09.2006.
Имя заявителя:
НИТИЯ КОРПОРЕЙШН (JP)
Изобретатели:
ВАКАИ Ёхеи (JP) МАЦУМУРА Хироаки (JP) ОКА Кендзи (JP)
Патентообладатели:
НИТИЯ КОРПОРЕЙШН (JP)
Приоритетные данные:
28.12.2007 JP 2007-341111
Реферат
Предложен полупроводниковый светоизлучающий прибор с высокой надежностью и превосходными характеристиками распределения света. Полупроводниковый светоизлучающий прибор 1 содержит n-электрод 50, размещенный на световыделяющей поверхности на стороне, противоположной поверхности полупроводниковой стопы 40, которая устанавливается на подложке 10. Множество выпуклостей выполнено в области 80 первых выпуклостей и в области 90 вторых выпуклостей на световыделяющей поверхности. Область 90 вторых выпуклостей примыкает к границе раздела между n-электродом 50 и полупроводниковой стопой 40, между областью 80 первых выпуклостей и n-электродом 50. Основание первой выпуклости, выполненной в области 80 первых выпуклостей, расположено ближе к светоизлучающему слою 42, чем к границе раздела между n-электродом 50 и полупроводниковой стопой 40, а основание второй выпуклости, выполненной в области 90 вторых выпуклостей, расположено ближе к границе раздела между n-электродом 50 и полупроводниковой стопой 40, чем к основанию первой выпуклости. Настоящее изобретение обеспечивает возможность получения полупроводникового светоизлучающего прибора, который имеет высокую надежность и превосходное распределение света. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 13 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента